-
1 аморфный полупроводник
Русско-английский новый политехнический словарь > аморфный полупроводник
-
2 аморфный полупроводник
1) Engineering: amorphous semiconductor, noncrystalline semiconductor2) Electronics: amorphic semiconductor3) Makarov: vitreous semiconductorУниверсальный русско-английский словарь > аморфный полупроводник
-
3 аморфный полупроводник
adjmicroel. amorpher HalbleiterУниверсальный русско-немецкий словарь > аморфный полупроводник
-
4 аморфный полупроводник
Русско-английский физический словарь > аморфный полупроводник
-
5 аморфный полупроводник
adjradio. selsyn amorpheDictionnaire russe-français universel > аморфный полупроводник
-
6 аморфный полупроводник
amorphous semiconductor, noncrystalline semiconductor, vitreous semiconductorРусско-английский словарь по электронике > аморфный полупроводник
-
7 аморфный полупроводник
Russian-german polytechnic dictionary > аморфный полупроводник
-
8 аморфный полупроводник
amorphous semiconductor, noncrystalline semiconductor, vitreous semiconductorРусско-английский словарь по радиоэлектронике > аморфный полупроводник
-
9 аморфный полупроводник
• amorfní polovodič -
10 аморфный полупроводник
Русско-английский словарь по микроэлектронике > аморфный полупроводник
-
11 аморфный полупроводник
amorphous semiconductor, noncrystalline semiconductorРусско-английский политехнический словарь > аморфный полупроводник
-
12 ионная имплантация в аморфный полупроводник
Electronics: amorphous implantationУниверсальный русско-английский словарь > ионная имплантация в аморфный полупроводник
-
13 полупроводник
м.- аморфный гидрированный полупроводник
- аморфный полупроводник
- антиферромагнитный полупроводник
- бесщелевой полупроводник
- варизонный полупроводник
- вырожденный магнитный полупроводник
- вырожденный полупроводник
- высокоомный полупроводник
- двухзонный полупроводник
- дефектный полупроводник
- дырочный полупроводник
- жидкий полупроводник
- инвертированный полупроводник
- интерметаллический полупроводник
- квазивырожденный полупроводник
- кейновский полупроводник
- ковалентный полупроводник
- компенсированный полупроводник
- кристаллический полупроводник
- кубический полупроводник
- легированный полупроводник
- магнитный полупроводник
- многодолинный полупроводник
- монокристаллический полупроводник
- монополярный полупроводник
- невырожденный полупроводник
- некомпенсированный полупроводник
- некристаллический полупроводник
- непрямозонный полупроводник
- низкоомный полупроводник
- оксидный полупроводник
- органический полупроводник
- полумагнитный полупроводник
- полупроводник n-типа
- полупроводник p-типа
- полупроводник с акцепторной примесью
- полупроводник с донорной примесью
- полупроводник типа алмаза
- полярный полупроводник
- примесный полупроводник
- прямозонный полупроводник
- пьезоэлектрический полупроводник
- разбавленный магнитный полупроводник
- редкоземельный полупроводник
- сильнолегированный полупроводник
- слабокомпенсированный полупроводник
- слаболегированный полупроводник
- собственный полупроводник
- стеклообразный полупроводник
- тетраэдрический полупроводник
- тонкоплёночный полупроводник
- узкозонный полупроводник
- узкощелевой полупроводник
- ферромагнитный полупроводник
- фоточувствительный полупроводник
- халькогенидный полупроводник
- частично компенсированный полупроводник
- широкозонный полупроводник
- электронный полупроводник
- элементарный полупроводник -
14 аморфный
1. uncrystalline2. uncrystallinely3. amorphous4. amorphously -
15 аморфный
-
16 аморфный
-
17 аморфный гидрированный полупроводник
Русско-английский физический словарь > аморфный гидрированный полупроводник
-
18 MIAS
metal/insulator/amorphous semiconductor — структура металл/диэлектрик/аморфный полупроводник -
19 бор
- boron
- B
бор
B
Элемент III группы Периодич. системы, ат. н. 5, ат. м. 10,811; кристаллы серовато-черного цвета (очень чистый В бесцветен). Природный В состоит из двух стабильных изотопов: 10В (19 %) и "В (81 %). Ранее других известное соединение В — бура — упоминается в сочинениях алхимиков. Свободный (нечистый) В впервые получили Ж. Гей-Люссак и Л. Тенар в 1808 г. нагреванием В203 с металлич. калием. Общее содержание В в земной коре -3 • 10"" мас. %. В природе В в свободном состоянии не обнаружен. Многие соединения В широко распространены, напр., боросиликаты, бораты и бороалюмосиликаты входят в состав многих изверженных и осадочных пород.
Известно несколько кристаллич. модификаций В. Атомы В образуют в них трехмерный каркас подобно атомам С в алмазе. Этим объясняется высокая твердость В. Однако строение каркаса в структурах В гораздо сложнее, чем в алмазе. В кристаллах В особый тип ковалентной связи — многоцентровая с дефицитом эл-нов. В соединениях ионного типа В. 3-валентен. Так наз. «аморфный» В, получаемый при восстановлении В2О3 металлич. натрием или калием, имеет у = 1,73 г/см3. Чистый кристаллич. В имеет у = 2,3 г/см3, L ~ 2075 *с> '«л = 386° <с> тв. по минералогич. шкале 9, микротв. 34 ГПа. Кристаллич. В - полупроводник. В обычных условиях он плохо проводит электрич. ток. При нагреве до 800 °С электрич. проводимость В увеличивается на несколько порядков. Химически В. при обычных условиях довольно инертен. С повышением темп-ры активность В возрастает, более сильно у аморфного, чем у кристаллич., и он соединяется с кислородом, серой, галогенами. При нагревании > 900 °С с углем или азотом В образует соотв. карбид В4С и нитрид BN.
Элемент. В из природного сырья получают в несколько стадий. Разложением боратов горячей Н2О или H2SO4 получают борную кислоту, а ее обезвоживанием - В2О3. Восстановление В2О3 металлич. Mg дает В в виде темно-бурого порошка; от примесей его очищают азотной или плавиковой кислотами. Очень чистый В, необходимый в произ-ве полупроводников, получают из его галогенидов: восстанавливают ВС13 водородом при 1200 °С или разлагают пары ВВг, на Та-проволоке, раскаленной до 1500 °С.
В применяют для микролегирования (доли %) сталей и некоторых литейных сплавов для улучшения их прокаливаемости и механич. свойств (обычно используют ферробор — сплав Fe с 10—20 % В). Поверхностное насыщение стальных деталей В (на глубину 0,1 — 0,5 мм) улучшает не только износостойкость, но и стойкость против коррозии (см. Борирование). В и его соединения (BN, В4С, BP и др.) используют в качестве диэлектриков и полупроводниковых материалов. Широко применяются борная кислота и ее соли (прежде всего, бура), бориды и др.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]Тематики
EN
- B
- boron
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > бор
См. также в других словарях:
аморфный полупроводник — amorfinis puslaidininkis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. amorphous semiconductor vok. amorpher Halbleiter, m rus. аморфный полупроводник, m pranc. semi conducteur amorphe, m … Radioelektronikos terminų žodynas
ионная имплантация в аморфный полупроводник — jonų implantavimas į amorfinį puslaidininkį statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. amorphous ion implantation vok. Ionenimplantation in den amorphen Halbleiter, f rus. ионная имплантация в аморфный полупроводник, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
НЕУПОРЯДОЧЕННЫЕ СИСТЕМЫ — вещества в конденсированном состоянии при отсутствии строгой упорядоченности в расположении их атомов и молекул (см. ДАЛЬНИЙ И БЛИЖНИЙ ПОРЯДОК). Н. с. явл. жидкие, аморфные и стеклообразные в ва, а также тв. растворы. Особый класс Н. с.… … Физическая энциклопедия
Ionenimplantation in den amorphen Halbleiter — jonų implantavimas į amorfinį puslaidininkį statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. amorphous ion implantation vok. Ionenimplantation in den amorphen Halbleiter, f rus. ионная имплантация в аморфный полупроводник, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
amorphous ion implantation — jonų implantavimas į amorfinį puslaidininkį statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. amorphous ion implantation vok. Ionenimplantation in den amorphen Halbleiter, f rus. ионная имплантация в аморфный полупроводник, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
implantation d'ions dans semi-conducteur amorphe — jonų implantavimas į amorfinį puslaidininkį statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. amorphous ion implantation vok. Ionenimplantation in den amorphen Halbleiter, f rus. ионная имплантация в аморфный полупроводник, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
jonų implantavimas į amorfinį puslaidininkį — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. amorphous ion implantation vok. Ionenimplantation in den amorphen Halbleiter, f rus. ионная имплантация в аморфный полупроводник, f pranc. implantation d ions dans semi conducteur amorphe, f … Radioelektronikos terminų žodynas
amorfinis puslaidininkis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. amorphous semiconductor vok. amorpher Halbleiter, m rus. аморфный полупроводник, m pranc. semi conducteur amorphe, m … Radioelektronikos terminų žodynas
amorpher Halbleiter — amorfinis puslaidininkis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. amorphous semiconductor vok. amorpher Halbleiter, m rus. аморфный полупроводник, m pranc. semi conducteur amorphe, m … Radioelektronikos terminų žodynas
amorphous semiconductor — amorfinis puslaidininkis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. amorphous semiconductor vok. amorpher Halbleiter, m rus. аморфный полупроводник, m pranc. semi conducteur amorphe, m … Radioelektronikos terminų žodynas
semi-conducteur amorphe — amorfinis puslaidininkis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. amorphous semiconductor vok. amorpher Halbleiter, m rus. аморфный полупроводник, m pranc. semi conducteur amorphe, m … Radioelektronikos terminų žodynas